另一个时空，光刻机的发展经过了一个漫长的过程，1960 年代的接触式光刻机、接近式光刻机，到 1970 年代的投影式光刻机，1980 年代的步进式光刻机，到步进式扫描光刻机，到浸入式光刻机和8102年的 光刻机，设备性能不断提高，推动集成电路按照摩尔定律往前发展。
曝光光源方面，从 1960 年代初到 1980 年代中期，汞灯已用于光刻，其光谱线分别为 436nm（g 线）、405nm（h 线）和 365nm（i 线）。然而，随着半导体行业对更高分辨率（集成度更高和速度更快的芯片）和更高产量（更低成本）的需求，基于汞灯光源的光刻工具已不再能够满足半导体业界的高端要求。
1982 年， 的 anti ain 开创性的提出了“excimer ser lithograhy（准分子激光光刻）”，并进行了演示，现在准分子激光光刻机器（步进和扫描仪）在全球集成电路生产中得到广泛使用。在在发展的 30 年中，准分子激光光刻技术一直是摩尔定律持续推进的关键因素。使得芯片制造中的最小特征尺寸从 1990 年的 500nm 推进至 2016 年 10nm，再到8102年的台积电和三星实现量产的 7nm 产品。
这其中，汞灯的436nm（g 线）、405nm（h 线）和 365nm（i 线），准分子激光248nm都指的是光刻机用来光刻的曝光光源。
1971年ntel 公司推出的10微米全球第一款4004微处理器，再到1980年2微米工艺的256b ，1984年1微米工艺的1b ，再到1991年此时即将问世的0.35微米工艺的64b ……10微米到0.35微米，指的是通过光刻机光刻等工艺，在芯片内部中，晶体管之间或者线最小可以做到的距离。
微米和纳米的概念，到底有多宽或者多细，大家可以体会一下：
1毫米（mm）等于1000微米（μm），一微米（mm）等于1000纳米（nm）。
而成年男性的头发直径一般在40到80微米之间，女性的头发直径则一般在20微米到40微米之间，小孩子的头发则是40微米左右。
也就是说，此时工艺为1微米的芯片中，晶体管的线宽大概是小孩头发直径的1/40；换而言之，直径40微米的头发横切之后的面积上，按照1微米的工艺光刻，可以光刻20-30个晶体管！
而光刻工艺越好，工艺制程越小，芯片集成度越高，性能越好，功耗越低。
所以，电子产品不断追求卓越性能的背后，是芯片的处理能力的不断上升！而反应到芯片生产厂家和芯片制造设备上，就是对芯片制程工艺的不断缩小和光刻机等设备光刻特征尺寸的不断缩小。
所以，余子贤一心一想要可以制造出0.8微米工艺制程芯片的5000光刻机，最次也要拿到1.2微米的2300光刻机。甚至不惜，给制造一些紧张气息，透露5500扫描式步进光刻机的相关信息！
“你怎么知道我们5500型光刻机即将上世的？”里托斯·基维先生站了起来，怼着余子贤的脸，严肃的问道！
“里托斯·基维先生，我们的合作的可能已经消失了……所以，很抱歉，我不可能告诉你原因的！”
“不不……余先生，一切皆有可能！”
“走吧……”余子贤直接带头站了起来，带着其他几个人向外走去！
余子贤就这样走出去，虽然更多的是想给一些压力，让他们退让，愿意以合理价格出售自己想要的光刻机！就算是1微米的2500出售有困难，但是如果可以无偿将1.5微米的2300升级到1.2
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